近来，上海科技大学信息学院后摩尔中心(PMICC)寇煦丰、杨雨梦课题组的研讨工作被第67届电气电子工程师学会（IEEE）世界电子器材会议（International Electron Device Meeting, IEDM）接纳，题为“Narrow-Band Semiconductor Heterostructures for Efficient Spintronic Memory Device Applications”。IEDM自1955年举行以来，在世界半导体技能界享有很高的学术位置和广泛影响，是集成电路相关高校、研制组织和职业领军企业陈述其技能打破的重要渠道，也是微电子范畴的威望会议和风向标。作为一所新式高校，上海科技大学在仅建立八年即以榜首完结单位在IEDM上宣布论文，表明晰校园在微电子范畴的科研实力和影响力的稳步提高。

　　寇煦丰课题组曾使用窄禁带III-V/II-VI族化合物半导体资料晶格匹配的特色，经过分子束外延成长技能在3英寸晶圆上制备了高质量的InSb/CdTe异质结薄膜，并结合磁电输运表征的手法定量表征了该系统中由界面Rashba效应发生的强自旋轨迹耦合强度（为传统资料系统的10~100倍），提醒了其在低功耗自旋电子学器材使用上的巨大潜力。在前期工作基础上，寇煦丰、杨雨梦课题组与中科院物理所于国强课题组通力合作，进一步将分子束外延与磁控溅射成长技能结合，完结了高质量Ta/MgO/Py/InSb/CdTe薄膜的制备。此外，课题组使用上科大量子器材中心先进的微纳加工工艺，制备了根据该系统的自旋轨迹扭矩磁存储原型器材，并经过高频微波测验证明晰该系统的电荷-自旋流转化功率约为传统重金属资料系统的10倍，一起完结了室温下高效的电流驱动磁性翻转的测验，为高迁移率、强自旋轨迹耦合、电场易调控的窄禁带半导体异质结系统在自旋电子学范畴的使用拓荒了一个全新的发展方向。

　　图 晶圆标准InSb/CdTe SOT-MRAM原型器材阵列以及巨大的自旋轨迹耦合强度和SOT功率

　　上海科技大学是该效果的榜首完结单位，信息学院后摩尔中心寇煦丰课题组2019级硕士生薛丰铧，2019级博士研讨生张勇，研讨助理廖立扬和中科院物理所博士生张雨为文章一起榜首作者，寇煦丰教授和杨雨梦教授为文章的通讯作者。该研讨获得了科技部、国家自然科学基金、中科院、上海市科委、上海科技大学量子器材中心以及Merck POC项目的大力支持。（尚科迅）