10月18日，本钱邦了解到，姑苏东微半导体股份有限公司(下称“东微半导”)回复科创板二轮问询。

　　在科创板二轮问询中，上交所首要就东微半导首要产品商场空间、经销收入、研制费用、高新技能企业资质和职工等八方面的问题。

　　关于首要产品商场空间，上交所要求发行人阐明：(1)结合高压超级结MOSFET和中低压MOSFET产品商场规划的距离和增幅状况，以及现在发行人的产品结构，阐明商场规划距离较大的原因，发行人挑选高压超级结作为首要产品的合理性及其开展空间;(2)结合陈述期内归纳毛利率低于同职业可比公司毛利率、上游晶圆价格变化影响的传导及时性低一级状况，阐明发行人首要产品的商场竞赛力怎么表现，并对经营规划小、议价才能低、价格传导及时性低、单一产品收入占比高级事项进行严重事项提示;(3)发行人MOSFET产品的下流使用范畴状况，在首要使用范畴的商场竞赛格式，以及与同职业首要厂商比较公司竞赛优劣势的详细表现，并在招股阐明书中作出针对性弥补发表。

　　因而，从电压途径的标准数量来看，耐压途径400V以下的中低压MOSFET包含的电压途径数量较高压MOSFET更多，对应的商场规划相对较大。依据Omdia，2020年，全球高压MOSFET的商场规划为18.0亿美元，中低压MOSFET的商场规划为52.4亿美元;我国高压MOSFET的商场规划为8.0亿美元，中低压MOSFET的商场规划为24.1亿美元。

　　高压超级结MOSFET产品的制作工艺更为杂乱，首要包含屡次外延和深沟槽外延两种。在屡次外延制作办法中，即便选用最为精简的办法，也需求五次以上的外延、光刻、注入的循环工艺流程。当选用当时市面上最新一代的更低比导通电阻Rsp的超级结MOSFET屡次外延制作技能时，比方英飞凌的P7系列超级结MOSFET，则需求10次以上的外延、光刻、注入工序，并且外延的浓度误差和光刻的对偏都会对超级结MOSFET的制作良率形成不良影响，进一步提高了制作工艺的杂乱度。当选用深沟槽外延工艺出产超级结MOSFET时，比方600V及650V高压超级结MOSFET，外延厚度需求到达40微米以上，沟槽深度到达36微米以上。

　　相较而言，中低压MOSFET中制作难度较大的屏蔽栅MOSFET的外延厚度一般在15微米以内，沟槽深度一般不超越10微米。综上，高压超级结MOSFET产品的制作工艺更为杂乱，使得其产出相对缺乏，然后导致其商场规划较中低压MOSFET小。

　　依据器材结构进一步分类，高压MOSFET一般可分为高压超级结MOSFET以及高压平面MOSFET，其间超级结结构的功能更优，是更高功能的功率器材品类。依据Omdia数据，2020年全球高压超级结MOSFET的商场规划约为9.4亿美元，占全球高压MOSFET的份额为52.35%;经预算2020年我国高压超级结MOSFET的商场规划约为4.2亿美元。虽然现在高压超级结MOSFET的商场规划与中低压MOSFET比较较小，可是高压超级结MOSFET在包含新能源轿车、新能源轿车充电桩以及光伏等新式下流使用范畴中逐步遍及，跟着该等使用范畴的不断开展与出现，估计商场需求未来会继续安稳添加。

　　综上所述，因为掩盖电压途径数量以及制作工艺杂乱程度的差异，高压超级结MOSFET的商场规划比较中低压MOSFET较小。此外，高压超级结MOSFET为高压MOSFET中的高功能细分范畴，与中低压MOSFET不属于彻底可比的类别，因而商场规划相对较小。跟着全球高压超级结MOSFET的制作工艺逐步老练，以及高压超级结MOSFET在新式使用范畴中的逐步遍及，其商场规划将逐步添加。

　　与中低压MOSFET比较，虽然高压超级结MOSFET的商场规划相对较小，可是此商场具有产品功能与技能要求高、进入门槛高、下流客户安稳、国内厂商布局相对较少以及更具商场开展潜力等特色。因而，发行人归纳考虑了商场开展机会、本身的技能以及产品优势以及职业开展趋势等要素，挑选了以高压超级结MOSFET范畴作为商场切入点。

　　从商场竞赛来看，无论是在全球仍是我国商场，高压超级结MOSFET的商场份额仍首要由世界厂商占有，国内功率器材厂商在此范畴的布局相较世界厂商较为落后，国产化程度较低。在国产化代替的职业布景下，高压超级结MOSFET商场是更具开展机会的细分范畴，发行人挑选该细分商场能够发挥技能优势，捉住国产化代替机会，以更快地树立优质的客户根底，获得商场份额，完成高速开展。

　　依据Omdia数据，2020年全球高压超级结MOSFET的商场规划估计为9.4亿美元，并将于2024年到达10.0亿美元;2020年度，公司在全球高压超级结MOSFET商场的商场份额为3.8%。因为公司占全球高压超级结MOSFET商场份额较小，鉴于公司高压超级结产品的技能优势以及商场竞赛力，公司的高压超级结MOSFET产品仍有很大的开展空间。

　　此外，国内的高压超级结MOSFET商场也首要由国外厂商占有，全体上国内厂商在高压超级结MOSFET商场的份额相对较小，例如新洁能在2019年我国高压超级结MOSFET的商场占有率约为3.8%，龙腾半导体在2020年我国高压超级结MOSFET的商场占有率约为1.6%。因而，公司能够充沛获益于世界贸易冲突大布景下的半导体国产化代替机会，在未来获取更大的商场份额。

　　除了商场占有率以外，国内涵高端分立器材的研制实力和出产工艺等方面较国外厂家仍存在较大的距离，该部分产品首要由美国、欧洲和日本的企业所主导。

　　因为国外公司在核心技能、要害元器材、要害设备、品牌和出售途径等方面坚持抢先，国内出售的高端半导体器材依然首要依靠海外进口。因而，公司在高功能功率器材核心技能方面的技能优势将是完成国产化代替的要害驱动力之一。

　　在高功能MOSFET产品的商场份额首要由国外厂商占有，以及国内厂商在要害技能等方面相对滞后的布景下，公司依据本身的技能优势能够充沛获益于世界贸易冲突带来的国产化代替机会，未来有望不断提高商场占有率，在与国外厂商的竞赛中逐步形本钱身的竞赛优势。

　　高压超级结MOSFET功率器材可广泛运用于各类终端范畴，包含新能源轿车相关范畴、5G基站电源及通讯电源、数据中心服务器电源和工业照明电源，以及PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器等消费电子使用范畴。其间，新能源轿车、通讯电源、大功率照明以及光伏逆变器等下流新式商场正处于高速开展期。

　　以新能源轿车范畴为例，跟着轿车电动化、智能化、网联化的变化趋势，新能源轿车对高功能功率半导体器材的需求量不断提高，轿车电子将迎来结构性革新，推动车规级功率器材快速开展。2020年11月国务院印发《新能源轿车产业开展规划(2021-2035年)》，提出2025年新能源轿车新车出售量到达轿车新车出售总量的20%左右，年总销量将到达500-600万辆。

　　以2025年年总销量600万辆测算，未来5年新能源轿车新车出售复合年均添加率为34%左右。一起，依据StrategyAnalytics剖析，传统燃料轿车中功率半导体芯片占轿车芯片的价值份额仅为21.0%，而纯电动轿车中功率半导体芯片占轿车芯片的价值份额高达55%。

　　与传统燃料轿车不同，每台电动车都装备了需求多颗大电流标准高压超级结MOSFET的车载充电机来对电池进行充电和放电，为高功能超级结MOSFET功率器材带来了历史性开展机会。

　　在新能源轿车充电桩方面，2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个添加至51.6万个，复合年添加率到达了72.9%。估计跟着新能源轿车的浸透率不断提高，未来新能源轿车充电桩的功率器材商场也将继续坚持高速添加。

　　而在公共直流充电桩所需的作业功率和电流要求下，其选用的功率器材以高压MOSFET为主。高压超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为干流的充电桩功率器材使用产品，详细使用于充电桩的功率因数校对(PowerFactorCorrection，“PFC”)、直流-直流变换器以及辅佐电源模块等。高压超级结MOSFET的使用将充沛获益于充电桩的快速建造。

　　在光伏使用方面，跟着光伏商场的方针引导与驱动，我国光伏发电装机容量的添加与会集式电站、分布式光伏电站的规划扩张可直接推动光伏逆变器需求，其职业规划有望于2025年到达206亿元，2020至2025年复合添加率到达24.8%。

　　高压超级结MOSFET在高功能光伏微逆变器中被广泛使用，估计也将充沛获益于光伏商场的快速添加。

　　上述新式商场范畴均对高功能MOSFET产品具有很强的需求，而作为高功能功率器材的代表性产品，高压超级结MOSFET具有能耗低、速度快、功率密度高级特性及优势，能够满意上述终端对功能的要求。因而，高压超级结MOSFET在上述新式终端范畴中有着结构性机会，能充沛获益于上述使用范畴的快速添加，具有较大的开展空间。

　　除高压超级结MOSFET的开展机会，依据在高压超级结范畴堆集的技能优势，公司可进一步拓宽延伸至包含中低压MOSFET产品在内的其他细分范畴。

　　依据Omdia数据，2020年全球MOSFET分立器材的商场规划为73.9亿美元，2020年我国MOSFET分立器材的商场规划为29.5亿美元。从产品规划以及技能才能来看，公司未来能够将产品拓宽至MOSFET部属的各个细分范畴，从而获益于MOSFET全体商场的开展机会。

　　关于研制费用，上交所要求发行人阐明：(1)按照研制项目的人员装备、资料投入等阐明研制费用的详细内容，研制费用率偏低的原因，研制费用投入是否与发行人的技能先进性匹配;(2)2021年上半年研制费用上涨较快、较去年全年相等的原因;(3)在研制费用率逐年下降、研制费用金额不高、与可比公司人员数量比较较少的状况下，人均收入高于同职业可比公司的合理性。

　　东微半导回复称，发行人各研制项目中资料投入的详细内容均首要为晶圆、掩膜和MOSFET制品。陈述期各期，发行人资料投入中晶圆、掩膜和MOSFET制品的占比均超越90%。

　　陈述期内，跟着发行人经营规划的扩展、研制作业需求的添加，发行人研制投料不断添加，与研制作业和技能开展需求具有匹配性。

　　因为研制进程的各个阶段均产生研制投入，且不同阶段并非均匀投入，如从物料投入来看，产品地图规划、样品晶圆试产、小批量晶圆制作以及小规划试产的物料投入相对较高，因而，晶圆在研数量与研制投入产生规划也并非简略的线性对应联系。

　　从研制人员看，发行人的研制部由产品研制工程部、使用技能部组成，其间产品研制工程部由产品开发团队和工程测验团队组成。

　　产品研制工程部的作业贯穿于研制流程的整个环节，是研制作业的牵头部分，其间产品开发团队的作业首要会集在前中期的晶圆规划开发、样品晶圆试产、接纳工程测验团队反应的晶圆功能测验剖析、小批量晶圆制作各项测验目标的反应、按照测验成果调整晶圆规划或工艺参数等;工程测验团队的作业首要会集在中后期的各项晶圆参数测验与可靠性验证，并将反常目标反应至产品开发团队。

　　使用技能部的作业会集在后期的产品送样及验证上，包含产品送样需求信息承认、产品送样后的测验开展盯梢、对客户使用测验进行技能支撑、针对不同电路使用场景研讨功率器材的参数匹配等。使用技能部在与客户进行沟通的进程中，也会搜集并收拾相关的产品研制及调整的需求信息并反应至产品研制工程部。

　　因为不同研制部分触及的作业和精力投入有所偏重，各类型研制人员的投入状况与研制作业的匹配剖析详细如下：

　　从研制环节上看，产品开发团队的作业首要会集在项目规划开发、样品晶圆试产、晶圆功能测验剖析、小批量晶圆制作等研制环节，一切在研晶圆的规划开发、测验反应、参数调试等均需其参加。因而用在研晶圆数量与产品开发团队人数进行匹配较具合理性。陈述期内，发行人产品开发团队分别为6人、7人、9人和10人，在研晶圆数量分别为121种、191种、248种和250种，产品开发团队的人数随在研晶圆数量的添加而添加。从作业才能和经历上看，当新工艺途径的研制使命数量和难度逐步添加时，需求匹配更多有才能和经历的产品开发人员。

　　陈述期内，跟着研制项目发动和进行数量的添加，发行人产品开发团队人员继续添加，具有合理性。

　　因为工程测验团队和使用技能部的作业首要会集在测验与验证、小规划试产、客户送样等研制环节，其作业首要专心经过小批量晶圆制作环节前后的一系列作业，因而用经过小批量晶圆制作环节的晶圆数量与工程测验团队和使用技能部人数进行匹配较具合理性。陈述期内，发行人不断有晶圆经过小批量晶圆制作环节，陈述期各期经过小批量晶圆制作环节的晶圆数量分别为34种、21种、51种和22种。经过该环节后的晶圆需求相应的工程测验团队和使用技能部支撑推动后续作业，陈述期内，发行人工程测验团队和使用技能部算计分别为4人(还有3名劳务差遣人员支撑使用技能部作业)、11人、15人和20人。总体上看，工程测验团队和使用技能部的人数随经过该环节的在研晶圆数量的添加而添加。

　　发行人的研制费用首要为职工薪酬及物料耗费，依据上述剖析，发行人的研制费用全体上与在研晶圆数量的添加趋势坚持同步。与同为Fabless形式的同职业公司新洁能比较，发行人研制费用的构成(除掉股份付出后)全体较为可比。

　　陈述期内，发行人及新洁能的研制费用均首要由职工薪酬、物料耗费及检测加工费构成，发行人上述科目的算计占比(除掉股份付出后)分别为85.18%、86.09%、92.60%和88.25%，新洁能上述科目的算计占比分别为87.03%、92.56%、89.66%和69.94%。2021年1-6月，新洁能上述科目算计占比较低，首要系新洁能当期产生托付研制费用，除掉托付研制费用后，2021年1-6月新洁能上述科目算计占比为93.78%，与发行人较为可比。

　　从技能视点而言，相较于集成电路逻辑芯片，功率器材并非特别依靠和寻求先进制程，产品竞赛力首要由器材结构规划方面的技能立异才能决议。当一个立异的器材结构被成功开发后，能够被使用至相关的功率芯片途径中，并经过改动芯片中并联器材的数量来得到不同标准的芯片。因而，相较于逻辑芯片，功率器材产品在研制阶段投片试产的本钱相对较低，对应的研制费用较低。

　　此外，发行人研制人员规划较小，陈述期各期发行人的研制人员数量分别为10人、18人、24人以及31人。因而，发行人计入研制费用的职工薪酬与发行人的研制人员规划也相匹配。发行人的核心技能会集于功率器材范畴，尤其是高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及IGBT等产品。在开展进程中，发行人会集优势研制资源，研制出了多种具有技能先进性以及商场竞赛力的功率器材结构，并以工业级使用范畴为首要商场拓宽方向。跟着发行人事务规划的敏捷扩展，发行人拟拓宽其在功率器材范畴的研制广度，包含新一代IGBT分立器材、高密度IGBT模块以及第三代半导体资料功率器材等产品。估计未来发行人的研制费用将跟着发行人事务规划的扩展、产品线的丰厚以及研制项目的多样化而不断提高。